量子阱结构、发光二极管外延结构及发光二极管
专利名称:
量子阱结构、发光二极管外延结构及发光二极管
英文名称:
专利号:
专利类别:
发明
专利证书号:
申请号:
2014102827945
第一发明人:
陈弘
其它发明人:
贾海强;江洋;马紫光;王文新;王禄;戴隆贵;李卫
申请日期:
专利授权日期:
2019-05-31
国外申请日期:
国外申请方式:
缴费情况:
实施情况:
专利摘要:
其它备注: