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一种三维环栅半导体场效应晶体管的制备方法
专利名称:
一种三维环栅半导体场效应晶体管的制备方法
专利类别:
发明
申请号:
2016111135213
第一发明人:
顾长志
其它发明人:
郝婷婷;李无瑕;李俊杰
专利授权日期:
2020-06-19
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