硅衬底上有序锗纳米线及其制备方法和应用
专利名称:
硅衬底上有序锗纳米线及其制备方法和应用
英文名称:
专利号:
专利类别:
发明
专利证书号:
申请号:
2019102312763
第一发明人:
张建军
其它发明人:
高飞
申请日期:
专利授权日期:
2021-04-27
国外申请日期:
国外申请方式:
缴费情况:
实施情况:
专利摘要:
其它备注: