北京航空航天大学教授

报告摘要

基于二维磁性材料的自旋电子器件兼具二维材料高集成度与自旋材料超低功耗的特点，有望突破现今制约集成电路发展的“功耗墙”与“尺寸墙”，进一步延续摩尔定律。然而，受限于二维磁性材料的维度效应，其长程磁序难以在高温下维持，严重阻碍了基于二维磁性材料的原型器件开发。本报告将介绍通过界面效应获得室温二维磁性材料的方法，通过构建适当的界面并引入自旋相互作用，可以对二维磁性材料居里温度和磁各向异性进行有效调控。针对此异质结，进行了飞秒激光泵浦的超快太赫兹探测，论证了拓扑表面相关的自旋-电荷转换及室温二维磁性。

报告人简介

聂天晓，北京航空航天大学集成电路科学与工程学院教授，国家特聘青年专家。主要研究方向为低维自旋材料与低功耗自旋电子器件，包括低维磁存储器、低维自旋太赫兹器件等。针对以上研究领域，已在国际著名期刊上发表SCI论文80余篇，包括 Nature Communications, ACS Nano 等，Google scholar 总引用4000余次，H因子26。多本英文专著撰写，40余项国家专利。担任IOP中国编辑咨询委员会委员、IEEE/ACM NANOARCH大会执行主席、《物理学报》客座编辑等。
E-mail: nietianxiao@buaa.edu.cn

联系人：滕静 (82649906,jteng@iphy.ac.cn)