2011年中国科学院杰出科技成就奖颁奖仪式于1月18日在京举行。全院共有1名个人和9个研究集体获得此项荣誉。中科院院长白春礼为获奖个人和集体代表颁发奖章和奖杯。
　  中国科学院杰出科技成就奖于2002年设立，2003年首次颁奖，2012年为第五次颁奖。本着以人为本、注重原创、分类评价的原则，中科院杰出科技成就奖主要奖励近5年内完成或产生影响的重大成果的完成个人或研究集体。该奖项坚持高标准、严要求、宁缺毋滥的原则，每两年推荐、评审一次，每届奖励不超过10个个人或集体。
　  物理所曾经于2005年和2007年获得过此项殊荣，获奖的研究集体分别为"薄膜/纳米结构的控制生长和量子操纵研究集体"和"强场物理若干前沿问题研究集体"。

　  附：拓扑绝缘体研究集体介绍 

　  研究集体所在单位：中国科学院物理研究所 

　  研究集体主要科技贡献：该研究集体通过计算、理论、实验的紧密结合，在拓扑绝缘体的研究方面取得了一系列重大突破与创新：（1）发现了Bi₂Te₃、Bi₂Se₃系列拓扑绝缘体材料，使得广泛的实验研究成为可能，这也是目前国际公认的标准拓扑绝缘体材料；（2）突破单晶制备的难题，在国际上率先制备出了原子级平整的Bi₂Se₃、Bi₂Te₃单晶绝缘薄膜；（3）实验验证了拓扑绝缘体所特有的拓扑物性；（4）发现了拓扑绝缘体Bi₂Te₃在压力下的超导态；（5）提出了磁性拓扑绝缘体中的量子化反常霍尔效应、具有电荷共轭—时间反演不变性的拓扑绝缘体等新概念。 

　  研究集体突出贡献者及主要科技贡献：
　  方 忠 中国科学院物理研究所
　  主要科技贡献：领导并组织实施了主要研究工作。预言了Bi₂Se₃、Bi₂Te₃系列拓扑绝缘体材料，提出了磁性拓扑绝缘体中的量子化反常霍尔效应。
　  戴 希 中国科学院物理研究所
　  主要科技贡献：作为主要成员参与了主要的研究工作。预言了Bi₂Se₃、Bi₂Te₃系列拓扑绝缘体材料，提出了磁性拓扑绝缘体中的量子化反常霍尔效应。
　  吴克辉 中国科学院物理研究所
　  主要科技贡献：通过MBE制备出了高质量的Bi₂Se₃，Bi₂Te₃单晶薄膜。　 

　  研究集体主要完成者及工作单位：
　  马旭村　 中科院物理研究所
　  何  珂　 中科院物理研究所
　  李永庆　 中科院物理研究所
　  吕  力　 中科院物理研究所
　  靳常青　 中科院物理研究所
　  孙力玲　 中科院物理研究所
　  孙庆丰　 中科院物理研究所
　  谢心澄　 中科院物理研究所
　  姚裕贵　 中科院物理研究所
　  张海军　 斯坦福大学

方忠研究员代表该获奖集体领奖

研究集体部分成员合影

获奖证书及奖杯