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物理所拓扑绝缘体研究集体获得“2011年中国科学院杰出科技成就奖”
发布时间:2012-01-19文章来源: 科技处

   2011年中国科学院杰出科技成就奖颁奖仪式于1月18日在京举行。全院共有1名个人和9个研究集体获得此项荣誉。中科院院长白春礼为获奖个人和集体代表颁发奖章和奖杯。
   中国科学院杰出科技成就奖于2002年设立,2003年首次颁奖,2012年为第五次颁奖。本着以人为本、注重原创、分类评价的原则,中科院杰出科技成就奖主要奖励近5年内完成或产生影响的重大成果的完成个人或研究集体。该奖项坚持高标准、严要求、宁缺毋滥的原则,每两年推荐、评审一次,每届奖励不超过10个个人或集体。
   物理所曾经于2005年和2007年获得过此项殊荣,获奖的研究集体分别为"薄膜/纳米结构的控制生长和量子操纵研究集体"和"强场物理若干前沿问题研究集体"。

   附:拓扑绝缘体研究集体介绍 

   研究集体所在单位:中国科学院物理研究所 

   研究集体主要科技贡献:该研究集体通过计算、理论、实验的紧密结合,在拓扑绝缘体的研究方面取得了一系列重大突破与创新:(1)发现了Bi2Te3、Bi2Se3系列拓扑绝缘体材料,使得广泛的实验研究成为可能,这也是目前国际公认的标准拓扑绝缘体材料;(2)突破单晶制备的难题,在国际上率先制备出了原子级平整的Bi2Se3、Bi2Te3单晶绝缘薄膜;(3)实验验证了拓扑绝缘体所特有的拓扑物性;(4)发现了拓扑绝缘体Bi2Te3在压力下的超导态;(5)提出了磁性拓扑绝缘体中的量子化反常霍尔效应、具有电荷共轭—时间反演不变性的拓扑绝缘体等新概念。 

   研究集体突出贡献者及主要科技贡献:
   方 忠 中国科学院物理研究所
   主要科技贡献:领导并组织实施了主要研究工作。预言了Bi2Se3、Bi2Te3系列拓扑绝缘体材料,提出了磁性拓扑绝缘体中的量子化反常霍尔效应。
   戴 希 中国科学院物理研究所
   主要科技贡献:作为主要成员参与了主要的研究工作。预言了Bi2Se3、Bi2Te3系列拓扑绝缘体材料,提出了磁性拓扑绝缘体中的量子化反常霍尔效应。
   吴克辉 中国科学院物理研究所
   主要科技贡献:通过MBE制备出了高质量的Bi2Se3,Bi2Te3单晶薄膜。  

   研究集体主要完成者及工作单位:
   马旭村  中科院物理研究所
   何  珂  中科院物理研究所
   李永庆  中科院物理研究所
   吕  力  中科院物理研究所
   靳常青  中科院物理研究所
   孙力玲  中科院物理研究所
   孙庆丰  中科院物理研究所
   谢心澄  中科院物理研究所
   姚裕贵  中科院物理研究所
   张海军  斯坦福大学

方忠研究员代表该获奖集体领奖
研究集体部分成员合影
获奖证书及奖杯

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