一种具有凹坑图案的用于二次电池的电极及其制备方法和用途
专利名称:
一种具有凹坑图案的用于二次电池的电极及其制备方法和用途
英文名称:
专利号:
专利类别:
发明
专利证书号:
申请号:
2016111155344
第一发明人:
李叶晶
其它发明人:
王兆翔;陈立泉
申请日期:
专利授权日期:
2019-10-22
国外申请日期:
国外申请方式:
缴费情况:
实施情况:
专利摘要:
其它备注: