一种铁磁半导体材料的单晶生长方法
专利名称:
一种铁磁半导体材料的单晶生长方法
英文名称:
专利号:
专利类别:
发明
专利证书号:
申请号:
2017101061684
第一发明人:
靳常青
其它发明人:
赵国强;邓正
申请日期:
专利授权日期:
2020-07-28
国外申请日期:
国外申请方式:
缴费情况:
实施情况:
专利摘要:
其它备注: