磁性多层膜结构、磁存储器、自旋逻辑器件和电子设备
专利名称:
磁性多层膜结构、磁存储器、自旋逻辑器件和电子设备
英文名称:
专利号:
专利类别:
发明
专利证书号:
申请号:
2018103104015
第一发明人:
韩秀峰
其它发明人:
王潇;万蔡华
申请日期:
专利授权日期:
2020-08-18
国外申请日期:
国外申请方式:
缴费情况:
实施情况:
专利摘要:
其它备注: