用于AlN单晶生长的复合籽晶及其制备方法
专利名称:
用于AlN单晶生长的复合籽晶及其制备方法
英文名称:
专利号:
专利类别:
发明
专利证书号:
申请号:
201910227102X
第一发明人:
郭丽伟
其它发明人:
胡伟杰;王文军;陈小龙
申请日期:
专利授权日期:
2021-06-15
国外申请日期:
国外申请方式:
缴费情况:
实施情况:
专利摘要:
其它备注: