三维悬空环栅结构半导体场效应晶体管器件的制备方法
专利名称:
三维悬空环栅结构半导体场效应晶体管器件的制备方法
英文名称:
专利号:
专利类别:
发明
专利证书号:
申请号:
2019110871355
第一发明人:
顾长志
其它发明人:
孙驰;杨海方;金爱子;李俊杰
申请日期:
专利授权日期:
2021-06-22
国外申请日期:
国外申请方式:
缴费情况:
实施情况:
专利摘要:
其它备注: