清华大学微电子所 (Institute of Microelectronics, Tsinghua)

Abstract:

随着摩尔定律的放缓以及冯·诺依曼瓶颈的显现，未来亟需引入新材料与新计算架构来进一步提高芯片性能和能效比。本次报告将首先介绍基于碳纳米管（carbon nanotubes）的高性能逻辑电路技术和柔性电路与传感器，讨论其面临的主要技术挑战，并介绍我们在材料、器件、电路与集成等方向上的最新研究进展。在报告的后半部分，我们将讨论新型存储器在类脑计算领域的应用，并着重介绍基于离子嵌入的非挥发性电化学存储器（ECRAM）。与传统的RRAM、PCM等器件相比，ECRAM展现出高对称性、高线性度、低随机性的模拟阻变翻转特性，因此在高效能的类脑计算上具有很大的应用潜力。展望未来芯片的发展趋势，基于上述纳米逻辑电路、传感器和新型存储器，我们将介绍“感存算一体“的三维片上集成系统，通过高带宽的层间数据互连来实现跟高效的数据获取、计算和存储。

Brief bio:

唐建石，清华大学微电子所助理教授、博士生导师。2008年获清华大学微纳电子系学士学位，2014年获美国UCLA电子工程系博士学位，2015-2019年在美国IBM T. J. Watson Research Center工作，先后获NT18 “Best Young Scientist Award”、IEEE “Best Lightning Talk”、IBM Invention Achievement Awards、IBM Research Pat Goldberg Memorial Best Paper Award等奖项。主要研究方向包括新型存储器与类脑计算、碳纳米管电子学与柔性电子学、纳米材料自旋电子学等，承担或参与国家研究中心青年创新基金、科技部国家重点研发计划等项目。近年来在Nature Nanotechnology、Nature Electronics、Nature Materials、Science、Nano Letters、ACS Nano、IEDM等知名期刊和国际会议上发表论文近60篇，引用超过3600次，编写图书章节4章，并申请国外发明专利20余项（已授权4项）。担任IEEE-NANO、CMSE、MEAMT、ACMMT等国际会议的技术委员会成员（Technical Program Committee），以及Nature Communications，Advanced Materials, Nano Letters, ACS Nano等杂志审稿人。 

报告邀请人：张广宇（82649021）