南京大学

报告摘要：

铁电存储尽管有非易失性、低功耗等优势，几度被工业界看好，但一直受制于与Si工艺的兼容而难成正果。我们介绍铁电存储方案面临的问题。针对难以兼容的钙钛矿铁电薄膜，提出一种在PbTiO₃薄膜中，通过调节弹性能、静电能之间的平衡，写入和擦除高密度极性拓扑畴，并以其导电畴壁为存储单元，绕过与Si器件的兼容，发展高密度铁电硬盘的方案。针对与Si器件兼容但可靠性不佳的掺杂HfO₂薄膜，我们揭示了薄膜中不均匀应变弛豫导致的挠曲电电场引起正交晶格的菱方畸变。掺杂HfO₂薄膜的疲劳来源于亚稳铁电相向热力学稳定的顺电单斜相的转变，菱方畸变后的亚稳结构更加稳定，因而有更好的抗疲劳性能，表明体块材料中无关紧要的挠曲电效应在纳米尺度铁电薄膜的相竞争中可能是重要的砝码。

报告人简介：

吴迪，1996年本科毕业于南京大学物理系，2000年取得南京大学凝聚态物理博士学位，随后进入南京大学材料科学与工程系工作，曾在法国国家科学研究中心图卢兹材料制备与表征中心访问研究，现为南京大学现代工程与应用科学学院教授、博士生导师，研究工作集中在介电、铁电和多铁性薄膜的制备及相关材料物理、器件物理，发表论文100余篇，担任科技部国家重大科学研究计划项目负责人。

邀请人：杨 芳 副研究员

联系人：张坚地 研究员