学术报告
题目: [ 磁学实验室学术报告] 基于相场理论的铁性智能材料相图设计及性能优化
时间: 2024年01月23日 10:00
报告人: 柯小琴 副教授
西安交通大学
报告摘要:
铁磁和铁电材料由于其独特的力磁耦合、力电耦合等性能而表现出电/磁致伸缩、电/磁卡效应,因而能作为传感器和驱动器用在航天国防、精密控制、民生医疗等诸多领域。随着航天科技等的高速发展,对铁电和铁磁材料的性能提出了宽温域、大响应的要求。本报告将从相场理论出发,通过相场模型建立起铁磁和铁电材料的性能与已有相图之间的关系,并基于理论设计新的相图类型,从而设计出宽温域范围内具有大电/磁致伸缩效应以及大电/磁卡效应的新材料。
报告人简介:
柯小琴,西安交通大学副教授,博士生导师。2007年毕业于西安交通大学生物工程系,2009年于西安交通大学材料科学与工程系获硕士学位,2014年于美国俄亥俄州立大学材料科学与工程系获博士学位,2014年起回到西安交通大学工作至今。主要从事铁性智能材料的相场模拟研究,目前以一作/通讯作者身份在Phys. Rev. Lett., Adv. Funct. Mater., Acta Mater., Phys. Rev. B, Appl. Phys. Lett.等期刊上发表学术论文30余篇,论文总引用1300余次。曾受邀在国际学术会议如国际相场会议,美国TMS会议,国际固态相变会议等大会上做邀请报告,并担任Acta Mater., J. Appl. Phys., J. Mag. Mag. Mater.等多种期刊的审稿人。
联系人:胡凤霞 研究员
电话:82649233
报告地点:M楼255会议室