加州大学圣塔芭芭拉分校（UCSB）

报告摘要

硅光子学（SiPh）已成为下一代数据通信、异构计算和量子技术的核心支柱，为大规模光子集成提供了革命性的平台。在光子集成回路（PIC）中，片上光互连突破了电子互连的性能瓶颈，实现了更高的传输速度和更大的带宽。然而，由于硅材料在光电性能上的固有限制，将III-V族化合物半导体异质集成到硅基底上，成为提升PIC性能、降低能耗并实现大规模应用的关键。这一技术融合了先进的硅制造工艺与III-V族半导体优异的光电特性，已广泛应用于数据通信、激光雷达、量子计算和人工智能等前沿领域。本报告将重点介绍利用异质外延和选区外延技术，在硅光芯片上实现III-V族光电器件的晶圆级单片集成。第一部分将探讨硅衬底上异质外延高质量III-V族薄膜，并展示高性能量子点（QD）激光器及砷化铟镓（InGaAs）短波红外探测器的研究进展；第二部分将介绍在大尺寸硅光晶圆上选区异质外延量子点激光器，及其与氮化硅波导的单片集成与低损耗端面耦合。

报告人简介

石贝，2018年获得香港科技大学博士学位，2018-2022年在美国加州大学圣塔芭芭拉分校(UCSB)从事博士后研究，2022年入职Aeluma公司，现担任首席科学家，同时兼任UCSB研究专家。主要从事硅基化合物半导体及光电器件的异质集成，共发表论文70余篇，其中SCI论文32篇。以第一或通讯作者在Optica、ACS Photon.等知名学术期刊上发表论文19篇；申请美国专利6项，4项为第一发明人；出版专著章节2部；主持美国国家航空航天局（NASA）等多个科研项目；担任MDPI特刊编辑；特邀报告或主持国际学术会议4次，口头报告17次。获2019年Optica Charles Kao最佳论文奖。

报告地点：中国科学院物理研究所，A232会议室

联系人：王子昊（18612466241，wangzihao@iphy.ac.cn）

本次活动由中科院青促会物理所小组主办