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任治安

    任治安,2004年于中国科学院物理研究所获博士学位。2005-2007年在日本Aoyama-Gakuin Univ.做博士后研究。2007年回国工作,中科院“百人计划”特聘研究员,博士生导师。
主要研究方向: 1.新材料探索:探索新超导体和其它各种实用功能材料,以及一些可能存在新奇量子现象的新材料。2.单晶生长:利用各种单晶生长方法制备大尺寸高质量的单晶,进行物性分析、深入物理研究等;3.物性研究:对新材料的超导性质、电输运、磁性质、热力学性质等各种物理性质的表征及深入分析研究,以发现具有新物理效应或者反常物性的化合物;4.功能材料的应用开发:发展具有特殊的电、磁、热、光等物理性质的新材料,逐步实现科学研究为国计民生服务。
过去的主要工作及获得的成果:发现硼掺杂碳化硅新超导体(B-doped SiC);发现氟掺杂的镨系、钕系铁基高温超导体(PrFeAsO1-xFx、NdFeAsO1-xFx)并首次将铁基的Tc提高到50K以上,发现氧缺位诱发的十种新铁基超导体RFeAsO1-x(稀土元素R 为 La, Ce, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Y),创造了铁基高温超导中55K的最高Tc世界记录等。发表及合作发表科研论文70多篇,SCI统计引用次数2000多次,h-index=23。在国际学术会议上作大会、特邀、邀请报告10余次。获得2008年物理所“科技新人奖”、2009年中国科学院“卢嘉锡青年人才奖”、2009年求是基金会“求是杰出科技成就集体奖”。担任多个国际学术期刊如JACS、EPL、PRB等论文评审人以及NJP关于铁基超导特刊的客座编辑。
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